Dicas superpráticas: requisitos e métodos de inspeção de componentes eletrônicos----Dispositivos semicondutores (2-O que é um triodo 2）

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Tubo de efeito de campo: O tubo de efeito de campo MOS é um tubo de efeito de campo semicondutor de óxido metálico, a abreviatura em inglês é MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor), que é um tipo de porta isolada.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT assume valores diferentes, a condutividade da camada de inversão mudará e diferentes IDS serão gerados sob o mesmo VDS, realizando o controle da tensão porta-fonte VGS no IDS de corrente fonte-dreno.
Classificação de efeito de campo: Os transistores de efeito de campo incluem principalmente transistores de efeito de campo de junção (JFET) e transistores de efeito de campo de porta isolada (IGFET). O substrato (B) do transistor de efeito de campo de porta isolada está conectado à fonte (S). Seus três pólos são a comporta (G), o dreno (D) e a fonte (S). Os transistores são divididos em transistores NPN e PNP, e seus três pólos são base (b), coletor (c) e emissor (e). Os pólos G, D e S do transistor de efeito de campo têm funções semelhantes aos pólos b, c e e do transistor. A diferença entre os transistores de efeito do tipo porta isolada e os transistores de efeito de campo do tipo junção é que seus mecanismos condutores e princípios de controle de corrente são fundamentalmente diferentes. Os tubos do tipo junção utilizam a mudança na largura da região de depleção para alterar a largura do canal condutor a fim de controlar a corrente de drenagem. Os transistores de efeito de campo Isolation Gate usam o efeito do campo elétrico na superfície do semicondutor e a quantidade de carga eletricamente induzida para alterar o canal condutor para controlar a corrente. A diferença em suas propriedades significa que os transistores de efeito de campo de junção são frequentemente usados ​​no estágio de entrada (pré-estágio) de amplificadores de potência, enquanto os transistores de efeito de campo de porta isolados são usados ​​no estágio final (estágio de saída) de amplificadores de potência. O princípio de funcionamento do transistor de efeito de campo é o mesmo do triodo, exceto que um deles é um componente controlado por tensão e o outro é um componente controlado por corrente. O transistor de efeito de campo possui apenas uma junção PN, conforme mostrado na Figura 1-1